Apple вынуждена отказаться от использования в iPhone 6 и iPhone 6 Plus флэш-памяти TLC NAND. По данным источника, ссылающегося на сообщение из Южной Кореи, в смартфоне Apple iPhone 6 с 64 ГБ флэш-памяти и смартфоне Apple iPhone 6 Plus со 128 ГБ флэш-памяти выявлена проблема с контроллером TLC NAND. Неисправность носит такие масштабы, что Apple вынуждена отказаться от использования в iPhone 6 и iPhone 6 Plus флэш-памяти TLC NAND. Контроллер, о котором идет речь, создан специалистами бывшей компании Anobit, купленной Apple в 2011 году.
В качестве решения проблемы Apple собирается перейти на использование памяти типа MLC NAND в вариантах Apple iPhone 6 с 64 флэш-памяти и Apple iPhone 6 Plus со 128 ГБ флэш-памяти. Как утверждается, это произойдет в течение месяца, а одно из обновлений iOS 8, которое выйдет в течение года, исправит ошибку и в аппаратах с исходным контроллером и памятью TLC NAND.
Напомним, в каждой ячейке памяти MLC NAND хранится два бита информации (четыре возможных уровня заряда), в каждой ячейке памяти TLC NAND — три бита (восемь уровней). Память TLC NAND примерно на треть дешевле, но необходимость манипулировать большим числом уровней заряда снижает надежность памяти, с чем приходится бороться, усложняя механизмы обнаружения и коррекции ошибок, реализуемые в контроллере.